借鑒下NXP的這個(gè)TEA1832圖紙做說(shuō)明。分析里面的電路參數設計與優(yōu)化并做到認證至量產(chǎn)。 在所有的元器件中盡量選擇公司倉庫里面的元件，和量大的元件，方便后續降成本拿價(jià)格。
貼片電阻采用0603的5％，0805的5％，1％，貼片電容容值越大價(jià)格越高，設計時(shí)需考慮。
1、輸入端，FUSE選擇需要考慮到I＾2T參數。保險絲的分類(lèi)，快斷，慢斷，電流，電壓值，保險絲的認證是否齊全。保險絲前的安規距離2．5mm以上。設計時(shí)盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時(shí)，保險絲I2T是否有余量，會(huì )不會(huì )打掛掉。
2、這個(gè)圖中可以增加個(gè)壓敏電阻，一般采用14D471，也有采用561的，直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強版的10S471，14S471等，一般14D471打1KV，2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成MOV＋GDT了。有必要時(shí)，壓敏電阻外面包個(gè)熱縮套管。
3、NTC，這個(gè)圖中可以增加個(gè)NTC，有的客戶(hù)有限制冷啟動(dòng)浪涌電流不超過(guò)60A，30A，NTC的另一個(gè)目的還可以在雷擊時(shí)扛部分電壓，減下MOSFET的壓力。選型時(shí)注意NTC的電壓，電流，溫度等參數。
4、共模電感，傳導與輻射很重要的一個(gè)濾波元件，共模電感有環(huán)形的高導材料5K，7K，0K，12K，15K，常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個(gè)槽的ET型。這個(gè)如果能共用老機種的最好，成本考慮，傳導輻射測試完成后才能定型。
5、X電容的選擇，這個(gè)需要與共模電感配合測試傳導與輻射才能定容值，一般情況為功率越大X電容越大。
6、如果做認證時(shí)有輸入L，N的放電時(shí)間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。
7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過(guò)得浪涌電流，耐壓和散熱，防止雷擊時(shí)掛掉。
8、VCC的啟動(dòng)電阻，注意啟動(dòng)電阻的功耗，主要是耐壓值，1206的一般耐壓200V，0805一般耐壓150V，能多留余量比較好。
9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時(shí)間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80％容值設計，不同廠(chǎng)家和不同的設計經(jīng)驗有點(diǎn)出入，有一點(diǎn)要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關(guān)系到電容壽命，這個(gè)看品牌和具體的系列了。
10、輸入電解電容上有并聯(lián)一個(gè)小瓷片電容，這個(gè)平時(shí)體現不出來(lái)用處，在做傳導抗擾度時(shí)有效果。
11、RCD吸收部分，R的取值對應MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102／103 1KV的高壓瓷片，整改輻射時(shí)也有可能會(huì )改為薄膜電容效果好。D一般用FR107，FR207，整改輻射時(shí)也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A，K5C等材質(zhì)）。小功率直流開(kāi)關(guān)電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。
12、MOSFET的選擇，起機和短路情況需要注意SOA。高溫時(shí)的電流降額，低溫時(shí)的電壓降額。一般600V 2－12A足夠用與100W以?xún)鹊姆醇?，根據成本?lái)權衡選型。整改輻射時(shí)很多方法沒(méi)有效果的時(shí)候，換個(gè)MOSFET就過(guò)了的情況經(jīng)常有。
13、MOSFET的驅動(dòng)電阻一般采用10R＋20R，阻值大小對應開(kāi)關(guān)速度，效率，溫升。這個(gè)參數需要整改輻射時(shí)調整。
14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個(gè)10K－100K的電阻放電。
15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個(gè)Isense電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線(xiàn)無(wú)感電阻。功率小，或者有感電阻短路時(shí)有遇到過(guò)炸機現象。
16、Isense電阻到IC的Isense增加1個(gè)RC，取值1K，331，調試時(shí)可能有作用，如果采用這個(gè)TEA1832電路為參考，增加一個(gè)C并聯(lián)到GND。
17、不同的IC外圍引腳參考設計手冊即可，根據自己的經(jīng)驗在IC引腳處放濾波電容。
18、更改前：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇里面討論很多，不多說(shuō)。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae），L（uH），Ipk（A），N為初級砸數（T），Ae（mm2）有興趣驗證這個(gè)公式可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計算結果應該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線(xiàn)并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過(guò)有幾個(gè)輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí)VCC過(guò)壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線(xiàn)能盡量耦合更好解決電壓差異大這個(gè)問(wèn)題。
18、更改后：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇里面討論很多，不多說(shuō)。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，防止高溫時(shí)磁芯飽和。delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae），L（uH），Ipk（A），N為初級砸數（T），Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT，所以ΔB值一般取330mT以?xún)?，出現異常情況不飽和，一般取值小于300mT以?xún)?。我之前做反激變壓器取值都是小?．3的）附，學(xué)習zhangyiping的經(jīng)驗（所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）
變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線(xiàn)并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過(guò)有幾個(gè)輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí)VCC過(guò)壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線(xiàn)能盡量耦合更好解決電壓差異大這個(gè)問(wèn)題。
附注：有興趣驗證這個(gè)公式的話(huà)，可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計算結果應該是500mT左右（25℃時(shí)，飽和磁通密度510mT）。
借鑒TDG的磁芯基本特征圖。
19、輸出二極管效率要求高時(shí)，可以采用超低壓降的肖特基二極管，成本要求高時(shí)可以用超快恢復二極管。
20、輸出二極管并聯(lián)的RC用于抑制電壓尖峰，同時(shí)也對輻射有抑制。
21、光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個(gè)1K－3K左右的電阻，Vout串聯(lián)到光耦的電阻取值一般在100歐姆－1K之間。431上的C與RC用于調整環(huán)路穩定，動(dòng)態(tài)響應等。
22、Vout的檢測電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差大，電流太大，影響待機功耗。
23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等于輸出電流，在選擇電容時(shí)紋波電流放大1．2倍以上考慮。 24、2個(gè)輸出電容之間可以增加一個(gè)小電感，有助于抑制輻射干擾，有了小電感后，第一個(gè)輸出電容的紋波電流就會(huì )比第二個(gè)輸出電容的紋波電流大很多，所以很多電路里面第一個(gè)電容容量大，第二個(gè)電容容量較小。
25、輸出Vout端可以增加一個(gè)共模電感與104電容并聯(lián)，有助于傳導與輻射，還能降低紋波峰峰值。
26、需要做恒流的情況可以采用專(zhuān)業(yè)芯片，AP4310或者TSM103等類(lèi)似芯片做，用431＋358都行，注意VCC的電壓范圍，環(huán)路調節也差不多。
27、有多路輸出負載情況的話(huà)，直流開(kāi)關(guān)電源的主反饋電路一定要有固定輸出，或者假負載，否則會(huì )因為耦合，burst模式等問(wèn)題導致其他路輸出電壓不穩定。28、初級次級的大地之間有接個(gè)Y電容，一般容量小于或等于222，則漏電流小于0．25mA，不同的產(chǎn)品認證對漏電流是有要求的，需注意。
算下來(lái)這么多，電子元器件基本能定型了，整個(gè)初略的BOM可以評審并參考報價(jià)了。BOM中元器件可以多放幾個(gè)品牌方便核成本。如客戶(hù)有特殊要求，可以在電路里面增加功能電路實(shí)現。如不能實(shí)現，尋找新的IC來(lái)完成，相等功率和頻率下，IC的更改對外圍器件影響不大。如客戶(hù)溫度范圍的要求比較高，對應元器件的選項需要參考元器件使用溫度和降額使用。
2、直流開(kāi)關(guān)電源PCB設計階段應注意的細節
1、PCB對應的SCH網(wǎng)絡(luò )要對應，方便后續更新，花不了多少時(shí)間的。
2、PCB的元器件封裝，標準庫里面的按實(shí)際情況需要更改，貼片元件焊盤(pán)加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0．3mm，焊盤(pán)直徑大于孔0．8mm以上，焊盤(pán)大些方便焊接，元器件過(guò)波峰焊也容易上錫，PCB廠(chǎng)家做出來(lái)也不容易破孔。還有很多細節的東西多了解些對生產(chǎn)是很大的功勞啊。
3、安規的要求在PCB上的體現，保險絲的安規輸入到輸出距離3mm以上，保險絲帶型號需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規要求，對應需要做的認證與供應商溝通能否滿(mǎn)足要求。相應的認證編號需印到PCB上。初級到次級的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級與次級，用擋墻或者次級用三層絕緣線(xiàn)飛線(xiàn)等方法做爬電距離。
4、橋堆前L，N走線(xiàn)距離2．5mm以上，橋堆后高壓＋，－距離2．5mm以上。走線(xiàn)為大電流回路先走，面積越小越好。信號線(xiàn)遠離大電流走線(xiàn)，避免干擾，IC信號檢測部分的濾波電容靠近IC，信號地與功率地分開(kāi)走，星形接地，或者單點(diǎn)接地，最后匯總到大電容的“－”引腳，避免調試時(shí)信號受干擾，或者抗擾度出狀況。
5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，方便過(guò)波峰焊上錫，提高產(chǎn)線(xiàn)效率，避免陰影效應，連錫，虛焊等問(wèn)題出現。
6、打AI的元器件需要根據相應的規則放置元器件，之前看過(guò)一個(gè)日本的PCB，焊盤(pán)做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤(pán)上，漂亮。
7、PCB上的走線(xiàn)對輻射影響比較大，可以參考相關(guān)書(shū)籍。還有1種情況，PCB當單面板布線(xiàn)，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導和輻射很有效果。
8、布線(xiàn)時(shí)，還需要考慮雷擊，ESD時(shí)或其他干擾的電流路徑，會(huì )不會(huì )影響IC。
3、直流開(kāi)關(guān)電源調試階段應注意的細節
1、萬(wàn)用表先測試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒(méi)有短路，有沒(méi)有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測試，變壓器同名端有沒(méi)有繞錯。
2、開(kāi)始上電，我的習慣是先上100V的低壓，PWM沒(méi)有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動(dòng)電壓，PWM沒(méi)有輸出。檢查各引腳的保護功能是否被觸發(fā)，或者參數不對。找不到問(wèn)題，查看IC的上電時(shí)序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動(dòng)的條件。示波器使用時(shí)需注意，3芯插頭的地線(xiàn)要拔掉，不拔掉的話(huà)最好采用隔離探頭掛波形，要不怎么炸機的都不知道。用2個(gè)以上的探頭時(shí)，2根探頭的COM端接同1個(gè)點(diǎn)，避免影響電路，或者夾錯位置燒東西。
3、IC啟動(dòng)問(wèn)題解決了，PWM有輸出，發(fā)現啟動(dòng)時(shí)變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問(wèn)題，甚至還碰到過(guò)TVS壞了短路的情況。
4、輸出有了，但是輸出電壓不對，或者高了，或者低了。這個(gè)需要判斷是初級到問(wèn)題，還是次級的問(wèn)題。掛輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對，估計就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩壓管＋1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過(guò)載保護等保護的動(dòng)作。常見(jiàn)問(wèn)題，光耦腳位畫(huà)錯，導致反饋到不了前級。431封裝弄錯，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問(wèn)題會(huì )導致輸出電壓不對。
5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個(gè)時(shí)候一般采用2個(gè)電阻并聯(lián)的方式來(lái)調節到精確電壓。采樣電阻必須是1％或者0．5％。
6、輸出能帶載了，帶滿(mǎn)載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開(kāi)幾十個(gè)周期，停幾十個(gè)周期，這樣的情況調節環(huán)路。431上的C與RC，現在的很多IC內部都已經(jīng)集成了補償，環(huán)路都比較好調整。環(huán)路調節沒(méi)有效果，可以計算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經(jīng)認為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode?？梢愿腎sense電阻阻值測試。
7、高低壓都能帶滿(mǎn)載了，波形也正常了。測試直流開(kāi)關(guān)電源效率，輸入90V與264V時(shí)效率盡量做到一致（改占空比，匝比），方便后續安規測試溫升。直流開(kāi)關(guān)電源效率一般參考老機種效率，或者查能效等級里面的標準參考。
8、輸出紋波測試，一般都有要求用47uF＋104，或者10uF＋104電容測試。這個(gè)電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會(huì )影響紋波電壓。示波器測試紋波時(shí)探頭上用彈簧測試探頭測試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態(tài)電容。
9、輸出過(guò)流保護，客戶(hù)要求精度高的，要在次級放電流保護電路，要求精度不高的，一般初級做過(guò)流保護，大部分IC都有集成過(guò)流或者過(guò)功率保護。過(guò)流保護一般放大1．1－1．5倍輸出電流。最大輸出電流時(shí)，元器件的應力都需要測試，并留有余量。電流保護如增加反饋環(huán)路可以做成恒流模式，無(wú)反饋環(huán)路一般為打嗝保護模式。做好過(guò)流保護還需要測試滿(mǎn)載＋電解電容的測試，客戶(hù)端有時(shí)提出的要求并未給出是否是容性負載，能帶多大的電容起機測試了后心里比較有底。
10、輸出過(guò)壓保護，穩定性要求高的客戶(hù)會(huì )要求放2個(gè)光耦，1個(gè)正常工作的，一個(gè)是做過(guò)壓保護的。無(wú)要求的，在VCC的輔助繞組處增加過(guò)壓保護電路，或者IC里面已經(jīng)有集成的過(guò)壓保護，外圍器件很少。
11、過(guò)溫保護一般要看具體情況添加的，安規做高溫測試時(shí)對溫度都有要求，能滿(mǎn)足安規要求溫度都還可以，除非環(huán)境復雜或者異常情況，需要增加過(guò)溫保護電路。
12、啟動(dòng)時(shí)間，一般要求為2S，或者3S內起機，都比較好做，待機功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒(méi)有什么問(wèn)題。
13、上升時(shí)間和過(guò)沖，這個(gè)通過(guò)調節軟啟動(dòng)和環(huán)路響應實(shí)現。
14、負載調整率和線(xiàn)性調整率都是通過(guò)調節環(huán)路響應來(lái)實(shí)現。
15、保持時(shí)間，更改輸入大電容容量即可。
16、輸出短路保護，現在IC的短路保護越做越好，一般短路時(shí)，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動(dòng)電阻供電，IC啟動(dòng)后，Isense腳檢測過(guò)流會(huì )做短路保護，停止PWM輸出。一般在264V輸入時(shí)短路功率最大，短路功率控制住2W以?xún)缺容^安全。短路時(shí)需要測試MOSFET的電流與電壓，并通過(guò)查看MOSFET的SOA圖（安全工作區）對應短路是否超出設計范圍。
17、空載起機后，輸出電壓跳。有可能是輕載時(shí)VCC的輔助繞組感應電壓低導致，增加VCC繞組匝數，還有可能是輸出反饋環(huán)路不穩定，需要更新環(huán)路參數。
18、帶載起機或者空載切重載時(shí)電壓起不來(lái)。重載時(shí)，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過(guò)壓，或者是過(guò)流保護動(dòng)作。
還有變壓器設計時(shí)按照正常輸出帶載設計，導致重載或者過(guò)流保護前變壓器飽和。
19、元器件的應力都應測試，滿(mǎn)載、過(guò)載、異常測試時(shí)元器件應力都應有余量，余量大小看公司規定和成本考慮。 性能測試與調試基本完成。調試時(shí)把自己想成是設計這顆IC的人，就能好好理解IC的工作情況并快速解決問(wèn)題。
4、EMC等測試之前的注意細節
1、溫升測試，45℃烤箱環(huán)境，輸入90，264時(shí)變壓器磁芯，線(xiàn)包不超過(guò)110℃，PCB在130℃以?xún)?。其他的元器件具體值參考下安規要求，溫度最難整的一般都是變壓器。
2、絕緣耐壓測試DC500V，阻值大于100MΩ，初次級打AC3000V時(shí)間60S，小于10mA，產(chǎn)線(xiàn)量產(chǎn)可以打AC3600V，6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設置10mA，測試過(guò)程中測試儀器報警，要檢查初次級距離，初級到外殼，次級到外殼距離，能把測試室拉上窗簾更好，能快速找到放電的位置的電火花。
3、對地阻抗，一般要小于0．1Ω，測試條件電流40A。
4、ESD一般要求接觸4K，空氣8K，有個(gè)電阻電容模型問(wèn)題。一般會(huì )把等級提高了打，打到最高的接觸8K，空氣15K。打ESD時(shí)，共模電感底下有放電針的話(huà)，放電針會(huì )放電。直流開(kāi)關(guān)電源的ESD還會(huì )在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問(wèn)題和PCB的layout問(wèn)題。打ESD打到15K把直流開(kāi)關(guān)電源打壞就知道自己做的直流開(kāi)關(guān)電源能抗多大的電壓，做安規認證時(shí)，心里有底。如果客戶(hù)有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000－4－2。
5、EFT這個(gè)沒(méi)有出現過(guò)問(wèn)題2KV。參考EN61000－4－4。
6、雷擊，差模1K，共模2K，采用壓敏14D471，有輸入大電解，走線(xiàn)沒(méi)有大問(wèn)題基本PASS。碰到過(guò)雷擊不過(guò)的情況，小功率5W，10W的打掛了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET，在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián)，電容吸收能量。LED直流開(kāi)關(guān)電源打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻＋GDT的形式。參考EN61000－4－5。
EFT，ESD，SURGE有A，B，C等級。一般要A等級：干擾對直流開(kāi)關(guān)電源無(wú)影響。
7、低溫起機。一般便宜的直流開(kāi)關(guān)電源，溫度范圍是0－45℃，貴的，工業(yè)類(lèi)，或者LED什么的有要求－40℃－60℃，甚至到85℃。－40℃的時(shí)候輸入NTC增大了N倍，輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點(diǎn)危險的（低溫時(shí)MOSFET的耐壓值變低）。之前碰到過(guò)90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳，或者是LED閃幾次才正常起來(lái)。增加輸入電容容量，改小NTC，增加VCC電容，軟啟動(dòng)時(shí)間加長(cháng)，初級限流（輸入容量不夠，導致電壓很低，電流很大，觸發(fā)保護）從1．2倍放大到1．5倍，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高；查找保護線(xiàn)路是否太極限，低溫被觸發(fā)（如PFC過(guò)壓易被觸發(fā)）。
5、傳導整改注意細節
基本性能和安規基本問(wèn)題解決掉，剩下個(gè)傳導和輻射問(wèn)題。這個(gè)時(shí)候可以跟客戶(hù)談后續價(jià)格，自己優(yōu)化下線(xiàn)路。 跟安規工程師確認安規問(wèn)題，跟產(chǎn)線(xiàn)的工程師確認后續PCB上元器件是否需要做位置的更改，產(chǎn)線(xiàn)是否方便操作等問(wèn)題?；蛘哂写駻I，過(guò)回流焊波峰焊的問(wèn)題，及時(shí)對元器件調整。
1、傳導和輻射測試大家看得比較多，論壇里面也講的多，實(shí)際上這個(gè)是個(gè)砸錢(qián)的事情。砸錢(qián)砸多了，自然就會(huì )了，整改也就快了。能改的地方就那么幾個(gè)。1、這個(gè)里面看不見(jiàn)的，特別重要的就算是PCB了，有厲害的可以找到PCB上的線(xiàn)，割斷，換個(gè)走線(xiàn)方式就可以搞掉3個(gè)dB，余量就有了。
2、一般看到筆記本直流開(kāi)關(guān)電源適配器，接電腦的部分就有個(gè)很丑的砣，這個(gè)就是個(gè)EMI濾波器，從適配器出線(xiàn)的部分到筆記本電腦這么長(cháng)的距離，可以看成是1條天線(xiàn)，增加一個(gè)濾波器，就可以濾除損耗。所以一般開(kāi)關(guān)直流開(kāi)關(guān)電源的輸出端有一個(gè)濾波電感，效果也是一樣的。
3、輸入濾波電感，功率小的，UU型很好用，功率大的基本用環(huán)型和ET型。公司有傳導實(shí)驗室或者傳導儀器的倒是可以有想法了就去折騰下。要是要去第三方實(shí)驗室的就比較痛苦了，光整改材料都要帶一堆。濾波電感用高導的10K材料比較好，對傳導輻射抑制效果都不錯，如果傳導差的話(huà)，可以改12K，15K的，輻射差的話(huà)可以改5K，7K的材質(zhì)。
4、輸入X電容，能用小就用小，主要是占地方。這個(gè)要配合濾波電感調整的。
5、Y電容，初次級沒(méi)有裝Y電容，或者Y電容很小的話(huà)一般從150K－30M都是飄的，或者飛出限值了的，裝個(gè)471－222就差不多了。Y電容的接法直接影響傳導與輻射的測試數據，一般為初級地接次級的地，也有初級高壓，接次級地，或者放2個(gè)Y電容初級高壓和初級地都接次級的地，沒(méi)有調好之前誰(shuí)也說(shuō)不準的。Y電容上串磁珠，對10MHz以上有效果，但也不全是。每個(gè)人調試傳導輻射的方法和方式都有差異機種也不同，問(wèn)題也不同，所以也許我的方法只適合我自己用。無(wú)Y方案大部分是靠改變變壓器來(lái)做的，而且功率不好做大。
6、MOSFET吸收，DS直接頂多能接個(gè)221，要不溫度就太高了，一般47pF，100pF。RCD吸收，可以在C上串個(gè)10－47Ω電阻吸收尖峰。還可以在D上串10－100Ω的電阻，MOSFET的驅動(dòng)電阻也可以改為100Ω以?xún)取?/span>
7、輸出二極管的吸收，一般采用RC吸收足夠了。
8、變壓器，變壓器有銅箔屏蔽和線(xiàn)屏蔽，銅箔屏蔽對傳導效果好，線(xiàn)屏蔽對輻射效果好。至于初包次，次包初，還有些其他的繞法都是為了好過(guò)傳導輻射。
9、對于PFC做反激直流開(kāi)關(guān)電源的，輸入部分還需要增加差模電感。一般用棒形電感，或者鐵粉芯的黃白環(huán)做。
10、整改傳導的時(shí)候在10－30MHz部分盡量壓低到有15－20dB余量，那樣輻射比較好整改。
開(kāi)關(guān)頻率一般在65KHz，看傳導的時(shí)候可以看到65K的倍頻位置，一般都有很高的值。
總之：傳導的現象可以看成是功率器件的開(kāi)關(guān)引起的振蕩在輸入線(xiàn)上被放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號出去就要避免高頻振蕩，或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)的時(shí)候不超標。
6、輻射整改注意細節
1、PCB的走線(xiàn)按照布線(xiàn)規則來(lái)做即可。當PCB有空間的時(shí)候可以放2個(gè)Y電容的位置：初級大電容的＋到次級地；初級大電容－到次級地，整改輻射的時(shí)候可以調整。
2、對于2芯輸入的，Y電容除了上述接法還可以在L，N輸入端，保險絲之后接成Y型，再接次級的地，3芯輸入時(shí)，Y電容可以從輸入輸出地接到輸入大地來(lái)測試。
3、磁珠在輻射中間很重要，以前用過(guò)的材料是K5A，K5C，磁珠的阻抗曲線(xiàn)與磁芯大小和尺寸有關(guān)。如圖所示，不同的磁珠對不同的頻率阻抗曲線(xiàn)不同。但是都是把高頻雜波損耗掉，成了熱量（30MHz－500MHz）。一般MOSFET，輸出二極管，RCD吸收的D，橋堆，Y電容都可以套磁珠來(lái)做測試。
4、輸入共模電感：如果是2級濾波，第一級的濾波電感可以考慮用0．5－5mH左右的感量，蝶形繞法，5K－10K材質(zhì)繞制，第一級對輻射壓制效果好。如果是3芯輸入，可以在輸入端進(jìn)線(xiàn)處用三層絕緣線(xiàn)在K5A等同材質(zhì)繞3－10圈，效果巨好。
5、輸出共模電感，一般采用高導磁芯5K－10K的材料，特殊情況輻射搞不定也可以改為K5A等同材質(zhì)。
6、MOSFET，漏極上串入磁珠，輸入電阻加大，DS直接并聯(lián)22－220pF高壓瓷片電容可以改善輻射能量，也可以換不同電流值的MOS，或者不同品牌的MOSFET測試。
7、輸出二極管，二極管上套磁珠可以改善輻射能量。二極管上的RC吸收也對輻射有影響。也可以換不同電流值來(lái)測試，或者更換品牌
8、RCD吸收，C更改容量，R改阻值，D可以用FR107，FR207改為慢管，但是需要注意慢管的溫度。RCD里面的C可以串小阻值電阻。
9、VCC的繞組上也有二極管，這個(gè)二極管也對輻射影響大，一般采取套磁珠，或者將二極管改為1N4007或者其他的慢管。
10、最關(guān)鍵的變壓器。能少加屏蔽就少加屏蔽，沒(méi)辦法的情況也只能改變壓器了。變壓器里面的銅箔屏蔽對輻射影響大，線(xiàn)屏蔽是最有效果的。一般改不動(dòng)的時(shí)候才去改變壓器。
11、輻射整改時(shí)的效率。套滿(mǎn)磁珠的直流開(kāi)關(guān)電源先做測試，PASS的情況，再逐個(gè)剪掉磁珠。
fail的情況，在輸入輸出端來(lái)套磁環(huán)，判斷輻射信號是從輸入還是輸出發(fā)射出來(lái)的。
套了磁環(huán)還是fail的話(huà)，證明輻射能量是從板子上出來(lái)的。這個(gè)時(shí)候要找實(shí)驗室的兄弟搞個(gè)探頭來(lái)測試，看看是哪個(gè)元器件輻射的能量最大，哪個(gè)原件在超出限值的頻率點(diǎn)能量最高，再對對應的元件整改。
輻射的現象可以看成是功率器件在高速開(kāi)關(guān)情況下，寄生參數引起的振蕩在不同的天線(xiàn)上發(fā)射出去，被天線(xiàn)接收放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號出去就要避免高頻振蕩，改變振蕩頻率或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)值的時(shí)候不超標。
磁珠的運用有個(gè)需要注意的地方，套住MOSFET的時(shí)候，MOSFET最好是要打K腳，套入磁珠后點(diǎn)膠固定，如果磁珠松動(dòng)，可能導電引起MOSFET短路。有空間的情況下盡量采用帶線(xiàn)磁珠。
7、PCB定型改版試生產(chǎn)注意細節
傳導輻射整改完成后，PCB可以定型了，最好按照生產(chǎn)的工藝要求來(lái)做改善，更新一版PCB，避免生產(chǎn)時(shí)碰到問(wèn)題。
1、驗證直流開(kāi)關(guān)電源的時(shí)刻到了，客戶(hù)要求，規格書(shū)。直流開(kāi)關(guān)電源樣品拿給測試驗證組做測試驗證了。之前問(wèn)題都解決了的話(huà)，驗證組是沒(méi)問(wèn)題的，到時(shí)間拿報告就可以了。
2、準備小批量試產(chǎn)，走流程，準備物料，整理BOM與提供樣機給生產(chǎn)部同事。
3、準備做認證的材料（保險絲，MOSFET等元器件）與樣機以及做認證的關(guān)鍵元器件清單等文檔性材料。關(guān)鍵元器件清單里面的元件一般寫(xiě)3個(gè)以上的供應商。認證號一定要對準，錯了的話(huà)，后續審廠(chǎng)會(huì )有不必要的麻煩。剩下的都是一些基本的溝通問(wèn)題了。
做認證時(shí)碰到過(guò)做認證的時(shí)候溫升超標了的，只能加導熱膠導出去?；蛘咛岣咝?，把傳導與輻射的余量放小。這種問(wèn)題一般是自己做測試時(shí)余量留得太少，很難碰到的。
4、一般認證2個(gè)月左右能拿到的。2個(gè)月的時(shí)間足夠把試產(chǎn)做好了。
5、試產(chǎn)問(wèn)題：基本上都是要改大焊盤(pán)，插件的孔大小更改，絲印位置的更改等。
6、試產(chǎn)的測試按IPS和產(chǎn)線(xiàn)測試的規章制度完成。
碰到過(guò)裸板耐壓打不過(guò)的，原因竟然是把裸板放在綠色的靜電皮上操作；也有是麥拉片折痕處貼的膠帶磨損了。
7、輸入有大電容的直流開(kāi)關(guān)電源，需要要求測試的工序里面增加一條，測試完畢給大電容放電的一個(gè)操作流程。
8、試產(chǎn)完成后開(kāi)個(gè)試產(chǎn)總結會(huì )，試產(chǎn)PASS，PCB可以開(kāi)模了。量產(chǎn)基本上是不會(huì )找到研發(fā)工程師了，頂多就是替代料的事宜。
9、做完一個(gè)產(chǎn)品，給自己寫(xiě)點(diǎn)總結什么的，其中的經(jīng)驗教訓，或者是有點(diǎn)失敗的地方，或者是不同IC的特點(diǎn)。項目做多了，自然就會(huì )了。
整個(gè)開(kāi)發(fā)過(guò)程中都是一個(gè)團隊的協(xié)作，所以很厲害的工程師，溝通能力也是很強的，研發(fā)一個(gè)產(chǎn)品要跟很多部門(mén)打交道，技術(shù)類(lèi)的書(shū)要看，技術(shù)問(wèn)題也要探討，同時(shí)溝通與禮儀方面的知識也要學(xué)習，有這些前提條件，開(kāi)發(fā)起來(lái)也就容易多了。
8、20年經(jīng)驗資深工程師的感慨
我順便提一下，上面原理圖中18的此飽和是500MT，即5000高斯，0，5特斯拉，普通鐵氧體到不了5000吧，頂多4000，好像才3500吧，所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。
從我干開(kāi)關(guān)直流開(kāi)關(guān)電源近二十年，算是老手了，我非常深有體會(huì )的是，開(kāi)關(guān)直流開(kāi)關(guān)電源最難的是環(huán)路參數，非常不好確定，普遍不大穩定就是環(huán)路沒(méi)有調好，這個(gè)是一個(gè)大問(wèn)題了，太多搞不定的就是這個(gè)問(wèn)題了，還有變壓器參數的選擇也是一個(gè)難點(diǎn)，有人說(shuō)變壓器的分量非常大，確定多少匝比，規格，如果鐵損線(xiàn)損一樣最好，絞在一起了，無(wú)法確定哪個(gè)多哪個(gè)少了，還有，如何確定磁通密度多少為最合適，也是非常難了，這個(gè)多年的經(jīng)驗非常重要，許多人變壓器不懂設計，還有，風(fēng)鈴可以磁通大一些，自冷要小一些，都不是一件容易的事情。
現在是很多人知識匱乏，沒(méi)有無(wú)線(xiàn)電技術(shù)的知識，那一些新手根本不懂，把PCB布成整齊的非常隨意的任意走線(xiàn)了，很像精細，那根本胡鬧，不能用的版了，新一代的知識多元化，誘惑太大了，什么人都可以上大學(xué)了，比如一些職高的普高沒(méi)畢業(yè)的人也上大學(xué)了，應試教育也是大問(wèn)題，人才質(zhì)量不行了，什么也不懂的人多了，他們照樣搞開(kāi)發(fā)，能做成什么好產(chǎn)品，最重要的是知識和學(xué)問(wèn)，卻又是最不在乎是又是學(xué)問(wèn)，浮躁社會(huì )浮躁的人，滿(mǎn)腦子就是短平快，要知道欲速則不達，只會(huì )抄襲模仿拿來(lái)主義山寨之風(fēng)，模仿制造低劣產(chǎn)品，因為所謂的開(kāi)發(fā)人員就是搬運工，而且所謂人才流動(dòng)，半拉子一下就飛了，成了政治資本，干過(guò)了什么項目，還有不少其實(shí)是調試工，技術(shù)人員，冒充什么開(kāi)發(fā)人員，老板急于求成，用的其實(shí)是偽人才，偽人才只能制造偽劣產(chǎn)品了，就是只會(huì )克隆產(chǎn)品復制了，還做不好，大功率的其實(shí)不少老外的產(chǎn)品哪個(gè)做成了，小功率的相對容易簡(jiǎn)單一些不少還是做成了，但做不好的多多了，
我談這個(gè)是非常普遍存在的社會(huì )現實(shí)，比如一位做12伏100安，抄襲模仿八九個(gè)月沒(méi)有做成，最終失敗打水漂了，其實(shí)可以做成的，我見(jiàn)過(guò)那個(gè)產(chǎn)品，同開(kāi)發(fā)人員一交流，發(fā)現學(xué)問(wèn)不行，我對那位陳老板說(shuō)兇多吉少九成以上要失敗的，他不信，就是我完全模仿一個(gè)地方也不能漏下，難道做不成，結果呢，真的做不成了，相當多人都以為一抄就成一步到位，總是這么說(shuō)，結果豈不，哪個(gè)成功了，一敗涂地了。其實(shí)，那個(gè)12伏100安真的不難，就是要有一些學(xué)問(wèn)，失敗的原因就在這里了。
原諒我談了別的方面的了，不過(guò)，確實(shí)千真萬(wàn)確，非常普遍而且常態(tài)化的我們這個(gè)社會(huì )的現實(shí)了，普遍的從業(yè)人員就是知識匱乏，技術(shù)和能力不行，就是生搬硬套，克隆主義至上，，好像我們這個(gè)社會(huì )就是假大空的社會(huì )，多數的產(chǎn)品都是這么去干的。成了不少其實(shí)有不少老外非常不錯的產(chǎn)品，我都見(jiàn)過(guò)不少了，怎么都沒(méi)有見(jiàn)到我們做的實(shí)際產(chǎn)品了，其實(shí)大幫小幫都在抄襲，怎么見(jiàn)不到東西呀，因為都失敗了打水漂了，我在這里說(shuō)了大實(shí)話(huà)的，非常真實(shí)的不要誤解了。如果有何不妥，多多見(jiàn)諒吧。
有一個(gè)非常真實(shí)的事例，比如01年我國一公司就做成了LLC多諧振的產(chǎn)品，由于效率高一時(shí)非常轟動(dòng)，模仿者也登門(mén)而至，我是在03年初開(kāi)始非常費勁，與同事大半年了，說(shuō)來(lái)奇怪，原機占空比大仿做的就小了，當時(shí)的土辦法就是把環(huán)流加大，但效率降低了，另一家深圳的某一家公司一直做不成，耗了不少財力，老板火了起來(lái)把那位總工炒掉了。我03年底離開(kāi)了，改用SG3525，主結構有了，按照規律，3525的死區時(shí)間還可以調整呢，占空比大了，就這樣做成功了，我是不會(huì )生搬硬套，比較靈活的，人家做不成做不好我就可以做到了，這種情況很多，所以不要完全克隆死板做，必須要會(huì )搞電路設計，如果是這樣，好多產(chǎn)品是可以做成的，可以模仿參考，結合自主設計，我的這一事例不也充分說(shuō)明了嗎，學(xué)問(wèn)和靈活最重要了，就是這么一回事。真正模仿成功還做的不錯的技術(shù)功夫也非常不錯了，許多人不懂這個(gè)道理，就是難道不成，不相信，真的如此，失敗多多了，即使一些做成了，也是不三不四的，產(chǎn)品性能和質(zhì)量是一個(gè)大問(wèn)題，還是一句話(huà)，偽人才制造偽劣產(chǎn)品，現實(shí)上偽人才多得去了，產(chǎn)品冒牌貨多同樣的人才冒牌貨一樣多了，其實(shí)，大家相信的倒是謊言的多，一抄就成一步到位就是成了最大的謊言了。滿(mǎn)口子多么省事節省成本，甚至更有甚者，全打包連圖紙都沒(méi)有，壞了就是修電器一樣，把壞的找出來(lái)?yè)Q掉就可以了，這個(gè)就是投機主義干事了，肯定這樣做的問(wèn)題特別大，他們就是把財力花在營(yíng)銷(xiāo)廣告戰了。
|
|
|
說(shuō)明:本頁(yè)面文章由()整理發(fā)布.文章地址： http:///xinwen/276.html
|
手機掃描二維碼
