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米勒振蕩是因為強的負反饋引起的開(kāi)關(guān)振蕩，導致二次導通，對于后級大功率半橋、全橋等高頻開(kāi)關(guān)電源H橋拓撲結構應用中，容易導致上下管子瞬間導通從而炸毀管子，這個(gè)是高頻開(kāi)關(guān)電源設計中最核心的一環(huán)，所以如何避免米勒振蕩可以認為是高頻開(kāi)關(guān)電源設計的核心關(guān)鍵。

A、減緩驅動(dòng)強度

1、提高M(jìn)OS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開(kāi)關(guān)速度越緩。

2、在MOS管GS之間并聯(lián)瓷片電容，一般容量在1nF~10nF附近?？磳?shí)際需求。
調節電阻電容值，提高電阻和電容，降低充放電時(shí)間，減緩開(kāi)關(guān)的邊沿速度，這個(gè)方式特別適合于硬開(kāi)關(guān)電路，消除硬開(kāi)關(guān)引起的振蕩。

B、加強關(guān)閉能力

1、差異化充放電速度，采用二極管加速放電速度

2、當第一種方案不足時(shí)，關(guān)閉時(shí)直接把GS短路

3、當第二種方案不足時(shí)，引入負壓確保關(guān)斷。

C、增加DS電容

在ZVS軟開(kāi)關(guān)電路中，比如UC3875移相電路中，MOS管DS之間，往往并聯(lián)無(wú)感CBB小電容，一般容量在10nF以?xún)?，不能太大，有利于米勒振蕩，注意該電容的發(fā)熱量，頻率更高的時(shí)候，需要用云母電容

D、提高漏極電感方式

相對應方案C的提高DS電容方式，該方案則采用提高漏極的電感方式

1、在漏極串聯(lián)鎳鋅磁珠，提高漏極電感，減緩漏極的電流變化，降低米勒振蕩，這個(gè)方案也是改善EMC的方法之一，效果比較明顯，但該方案不適合高頻率強電流的場(chǎng)合，否則該磁珠就發(fā)熱太高而失效。

2、PCB布線(xiàn)時(shí)，人為的引入布線(xiàn)電感，增長(cháng)MOS管漏極、源極的PCB布線(xiàn)長(cháng)度，比如方案C的圖中，適當提高半橋上下MOS管之間的引線(xiàn)，對改善米勒振蕩有很大的影響，但這個(gè)需要自身的技術(shù)水平較高，否則容易失敗，此外布線(xiàn)長(cháng)度提高，需要相應的考慮MOS管的耐壓，嚴重的，需要加MOS管吸收電路。

E、常用的MOS管吸收電路，利于保護MOS管因關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生過(guò)高的電壓導致DS擊穿，對米勒振蕩也有幫助，電路形式多樣，以下列舉四種，應用場(chǎng)合不同，采用不同的方式。

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