1 ， 一般情況下，同功率的開(kāi)關(guān)電源與線(xiàn)性電源相比， _____ 。
A, 體積大，效率高
B，體積小，效率低
C, 體積不變，效率低
D, 體積小，效率高
2 ，大功率開(kāi)關(guān)電源常用變換拓撲結構形式是 _____ 。
A, 反激式
B, 正激式
C, 自激式
D, 他激式
3,一般來(lái)說(shuō)，提高開(kāi)關(guān)電源的頻率，則電源_____。
A,同體積時(shí)，增大功率
B,功率減小，體積也減小
C,功率增大，體積也增大
D,效率提高，體積增大
4，肖特基管和快恢復管常作為開(kāi)關(guān)電源的____。
A,輸入整流管
B,輸出整流管
C,電壓瞬變抑制管
D,信號檢波管
5，肖特基管與快恢復管相比，____。
A,耐壓高
B,反向恢復時(shí)間長(cháng)
C,正向壓降大
D,耐壓低，正向壓降小
6，GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，那些是開(kāi)關(guān)電源中變壓器常用的驅動(dòng)元件？____。
A,GTO和GTRB,TRIAC和IGBT
C,MOSFET和IGBT
D，SCR和MOSFET
7，開(kāi)關(guān)電源變壓器的損耗主要包括：____。
A,磁滯損耗、銅阻損耗、渦流損耗
B,磁滯損耗、銅阻損耗、介電損耗
C,銅阻損耗、渦流損耗、介電損耗
D,磁滯損耗、渦流損耗、介電損耗
8，開(kāi)關(guān)電源變壓器的初級漏感測量方法是___。
A,次級開(kāi)路，測初級電感
B,初級開(kāi)路，測次級電感
C,次級短路，測初級電感
D,初級短路，測次級電感
9，開(kāi)關(guān)電源變壓器的激磁電感測量方法是___。
A,次級開(kāi)路，測初級電感
B,初級開(kāi)路，測次級電感
C,次級短路，測初級電感
D,初級短路，測次級電感
10，變壓器初次級間加屏蔽層的目的是_____。
A,減小初次間分布電感引起的干擾
B,減小初次間分布電容引起的干擾
C,提高效率
D,增大絕緣能力
11，減小開(kāi)關(guān)驅動(dòng)管的損耗主要途經(jīng)是_____。
A,選用低導通電阻的驅動(dòng)管
B,提高驅動(dòng)管的驅動(dòng)信號的邊沿陡度
C,提高開(kāi)關(guān)頻率
D,A和B及減小開(kāi)關(guān)頻率
12，已知功率管的管芯至管殼的熱阻為1.2℃/W,管殼至散熱器的熱阻為2.0℃/W,散熱器至自由空氣的熱阻為10℃/W,環(huán)境溫度為70℃，如功率管的損耗為6W，工作半小時(shí)后，管芯溫度大約為_(kāi)_
A,149.2℃
B79.2℃
C,70℃
D,102℃
13，220VAC輸入的電源，輸入對外殼、輸入對輸出的工頻耐壓試驗值一般是_____。
A,500V、1000V
B,1500V、2500V
C,2500V,1500V
D,1000V,1500V
14，電容的損耗包括漏電損耗和介電損耗，其中介電損耗是主要損耗，損耗角____。
A,越大，損耗越小
B,越小，損耗越小
C,是消耗有功功率與視在功率之比
D,是無(wú)功功功率與視在功率之比
15，電感飽和是指_____。
A,通過(guò)的磁通隨電流變化而變化
B,電抗不變
C,電抗減小
D,電抗增大
16，電感、磁環(huán)、磁珠的應用區別主要是____。
A,電感用于濾波、磁環(huán)套在流有較大電流的導線(xiàn)上抗射頻干擾、磁珠用于信號線(xiàn)抗射頻干擾
B,電感用于濾波、磁珠套在流有較大電流的導線(xiàn)上抗射頻干擾、磁環(huán)用于信號線(xiàn)抗射頻干擾
C,磁環(huán)用于濾波、磁珠套在流有較大電流的導線(xiàn)上抗射頻干擾、電感用于信號線(xiàn)抗射頻干擾
D,磁珠用于濾波、磁環(huán)套在流有較大電流的導線(xiàn)上抗射頻干擾、電感用于信號線(xiàn)抗射頻干擾
17，真空放電管、壓敏電阻、TVS管分別用于____瞬時(shí)過(guò)壓保護。
A,電子元器件、電子設備、電氣設備
B,電子設備、電氣設備、電子元器件
C,電氣設備、電子元器件、電子設備
D,電氣設備、電子設備、電子元器件
18，EMS測試中，IEC61000標準中浪涌電壓、電快速脈沖的脈寬/邊沿要求是___。
A,50μS/5μS50nS/5nS
B,50μS/5nS
50nS/5nS
C,100μS/1μS
100nS/10nS
D,5μS/5nS
100nS/10Ns
19,220VAC電源輸入濾波器共模阻抗與差模阻抗相比,_____.
A,共模阻抗與差模阻抗基本相同
B,共模阻抗小于差模阻抗
C,共模阻抗大于差模阻抗
D,共模阻抗等于差模阻抗的平方
20,模擬電路地與數字電路地一點(diǎn)共地的目的是___.
A,減小數字電路地線(xiàn)電流
B,減小模擬電路受到的輻射干繞
C,增大模擬電路與數字電路的共地阻抗
D,減小模擬電路與數字電路的共地阻抗
21,分布式電壓閉環(huán)開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)運行,每臺電源在電壓給定值不變的情況下,電壓—電流靜態(tài)特性應為_(kāi)___.
A,硬特性(即恒壓特性)
B,降特性(即隨電流增大電壓下降)
C,升特性(即隨電流增大電壓增大)
D,無(wú)要求
22,PID調節方式中,I和D的作用分別是____.
A,消除靜態(tài)誤差和提高動(dòng)態(tài)性能
B,提高動(dòng)態(tài)性能和消除靜態(tài)誤差
C,減小調節時(shí)間和消除靜態(tài)誤差
D,減小超調量和消除靜態(tài)誤差
23,一運算放大器的開(kāi)環(huán)增益為80DB,如不考慮其他誤差因素,要求用該放大器一級放大某信號,誤差小于0.5%,則閉環(huán)放大增益K應____.
A, K>=100
B,K>=50
C,50<=K<=100
D,K<=50
24,開(kāi)關(guān)電源中反饋用的傳輸光耦,對其CTR值要求是____.
A,越大越好
B,越小越好
C,有一定的范圍
D,無(wú)所謂
25,如果是NRZ編碼,當通訊波特率較高且距離較遠時(shí),總線(xiàn)兩端需要接端接電阻,該電阻取值依據為_(kāi)__.
A,按總線(xiàn)驅動(dòng)器的直流負載能力取
B,按干擾噪聲程度取
C,取該波特率(頻率)對應的通信電纜的波阻抗值
D,取該波特率對應通信電纜的分布電容的容抗值
答案：1D-2B-3A-4B-5D
6C-7A-8C-9A-10B
11D-12A-13B-14B-15C
16A-17D-18A-19C-20D
21B-22A-23D-24C-25C
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