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反激直流開(kāi)關(guān)電源MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉折點(diǎn)的分析。

很多工程師在電源開(kāi)發(fā)調試過(guò)程中，測的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對反激電源實(shí)測波形來(lái)分析一下。

問(wèn)題一，一反激電源實(shí)測Ids電流時(shí)前端有一個(gè)尖峰（如下圖紅色圓圈里的尖峰圖），這個(gè)尖峰到底是什么原因引起的？怎么來(lái)消除或者改善？

大家都知道這個(gè)尖峰是直流開(kāi)關(guān)電源MOS開(kāi)通的時(shí)候出現的，根據反激回路，Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過(guò)MOS再到Vbus形成回路。本來(lái)原邊線(xiàn)圈電感特性，其電流不能突變，本應呈線(xiàn)性上升，但由于原邊線(xiàn)圈匝間存在的分布電容（如下圖中的C），在開(kāi)啟瞬間，使Vbus經(jīng)分存電容C到MOS有一高頻通路，所以形成一時(shí)間很短尖峰。

下面再上兩個(gè)英文資料，上面的C在下圖中等效于Cp或者是Ca

經(jīng)分析，知道此尖峰電流是變壓器的原邊分布參數造成，所以要從原邊繞線(xiàn)層與層指尖間著(zhù)手，可以加大間隙來(lái)減少耦合，也可以盡量設計成單層繞組。

例如變壓器盡量選用Ae值大的，使設計時(shí)繞組圈數變少減少了層數，從而使層間電容變小。也可減少線(xiàn)與線(xiàn)之間的接觸面，達到減少分布電容的目的。如三明治繞法把原邊分開(kāi)對此尖峰有改善，還能減少漏感。當然，無(wú)論怎樣不能完全避免分布電容的存在，所以這個(gè)尖峰是不能完全消除的。并且這個(gè)尖峰高產(chǎn)生的振蕩，對EMI不利，實(shí)際工作影響倒不大。但如果太高可能會(huì )引起芯片過(guò)流檢測誤觸發(fā)。

所以電源IC內部都會(huì )加一個(gè)200nS-500nS的LEB Time，防止誤觸發(fā)，就是我們常說(shuō)的消隱。

問(wèn)題二，直流開(kāi)關(guān)電源MOS關(guān)端時(shí)，IS電流波形上有個(gè)凹陷（如下圖紅色圈內的電流波形的凹陷）這是怎么回事？怎么改善？

說(shuō)這個(gè)原因之前先對比下mos漏極電流Id與mos源極電流Is的波形。

實(shí)測Id波形如下

實(shí)測Is波形如下

從上面的這兩個(gè)圖中看出，ID比IS大一點(diǎn)是怎么回事？其實(shí)Is 是不等于Id的，Is = Id+Igs（Igs在這里是負電流，Cgs的放電電流如下圖），那A,B 兩點(diǎn)波形，就容易解釋了。

Id比Is大，是由于IS疊加了一個(gè)反向電流，所以出現Is下降拐點(diǎn)。顯然要改善這個(gè)電流凹陷可以換直流開(kāi)關(guān)電源MOS管型號來(lái)調節。

看了上面Id的電流波形后問(wèn)題又來(lái)了，mos關(guān)斷時(shí)ID的電流為何會(huì )出現負電流？如下圖

MOS關(guān)斷時(shí)，漏感能量流出給Coss充到高點(diǎn)，即Vds反射尖峰的頂點(diǎn)上。到最高點(diǎn)后Lk相位翻轉，Coss反向放電，這時(shí)電流流出，也就是Id負電流部份的產(chǎn)生。

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