盡管直流開(kāi)關(guān)電源沒(méi)有作為一個(gè)大類(lèi)產(chǎn)品出現在我國的強制性產(chǎn)品認證目錄中，但是在信息技術(shù)類(lèi)設備提到的12種產(chǎn)品中，將計算機的內置電源和電源適配器與微型計算機、便攜式計算機、計算機連用的顯示設備、計算機連用的打印設備、多用途打印復印機、掃描儀、充電器、電腦游戲機、學(xué)習機、復印機、服務(wù)器、金融及貿易結算電子設備等一起列為強制認證的產(chǎn)品。
還有更多的電子設備，盡管在認證的實(shí)施細則中沒(méi)有直接提到直流開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)題，但是在它的認證中（這里指的是廣義“認證”，有一些產(chǎn)品不需要3C認證，但有“入網(wǎng)”認證要求）都無(wú)一例外提到了要做電磁兼容性試驗。由于直流開(kāi)關(guān)電源作為這些設備中與電網(wǎng)連接的關(guān)鍵部件，所以這些試驗都和直流開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性有關(guān)。因此，無(wú)論直流開(kāi)關(guān)電源是不是作為一個(gè)獨立產(chǎn)品參加強制產(chǎn)品認證，但作為電子設備與電網(wǎng)連接的一個(gè)首當其沖的部件，只要這個(gè)產(chǎn)品需要參加認證，那么直流開(kāi)關(guān)電源都必須經(jīng)受電磁兼容性試驗。
迄今為止，直流開(kāi)關(guān)電源電磁兼容性測試的國家標準尚未出臺，但是在參加強制性產(chǎn)品認證的信息技術(shù)設備類(lèi)產(chǎn)品，在“機內直流開(kāi)關(guān)電源的認證試驗項目一覽表”（國家認證認可監督管理委員會(huì )頒布）中列出了3個(gè)電磁兼容測試項目，分別是0.15MHz ～ 30MHz 電源端傳導侵擾電壓測試；30MHz～1000MHz輻射侵擾場(chǎng)強測試；暫態(tài)諧波電流測試。十分明顯，這幾項試驗都是測試直流開(kāi)關(guān)電源自身工作中所產(chǎn)生的電磁侵擾，分別是對射頻性質(zhì)的傳導侵擾電壓和輻射侵擾場(chǎng)強測試；以及對電網(wǎng)污染的諧波電流測試。為了保證設備之間的電磁兼容性，對直流開(kāi)關(guān)電源的這三項測試是適當的，也是必須的。
關(guān)于直流開(kāi)關(guān)電源認證中遇到的這些電磁兼容問(wèn)題，都是近年直流開(kāi)關(guān)電源業(yè)界討論的熱點(diǎn)，其中直流開(kāi)關(guān)電源的諧波抑制的話(huà)題，在每年都有大量的文章見(jiàn)諸于技術(shù)雜志和書(shū)刊。而有關(guān)直流開(kāi)關(guān)電源的傳導和輻射侵擾的抑制問(wèn)題的談?wù)搫t略見(jiàn)少些，為此，我在以前的電源工程師的聚會(huì )上曾經(jīng)就《直流開(kāi)關(guān)電源的侵擾抑制問(wèn)題》作過(guò)交流，著(zhù)重說(shuō)了一個(gè)直流開(kāi)關(guān)電源的傳導侵擾抑制問(wèn)題。這次則想重點(diǎn)介紹直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾的抑制問(wèn)題。
2. 直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾限值
按GB9254-1998《信息技術(shù)設備無(wú)線(xiàn)電侵擾限值和測量方法》的要求。不同頻率范圍的A級和B級設備輻射侵擾限值見(jiàn)表1所示。
在標準中，限值是以測試距離為10m給出的，但試驗常常會(huì )在3m測量距離的實(shí)驗室進(jìn)行，這時(shí)要用增加20lg（10/3）＝10dBμV/m 來(lái)修正。舉例說(shuō)， B 級設備在10m 處、在30 ～ 230 MHz 頻段內的限值為30dBμV/m ，而在3m測量距離的限值應修正為40dBμV/m ；同樣在230～1000MHz頻段內應修正為47dBμV /m。
3. 測試輻射侵擾發(fā)射的試驗配置
按照GB9254標準的要求，受試設備的輻射侵擾發(fā)射試驗在電波暗室中進(jìn)行（圖1），基本的試驗儀器是兩件：接收天線(xiàn)和帶有準峰值檢波的干擾接收機。測試距離通常為3m。
4.直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾抑制問(wèn)題
直流開(kāi)關(guān)電源的設計至今仍十分依賴(lài)實(shí)驗室的工作，采取先搭板試驗，再逐步調整的辦法。隨著(zhù)產(chǎn)品復雜程度越來(lái)越高，使處理問(wèn)題的難度也越來(lái)越大。最好的辦法是，設計人員對線(xiàn)路的工作要有一個(gè)預判，在搭板的過(guò)程中把其中的電磁兼容問(wèn)題考慮在印刷線(xiàn)路板的布局和布線(xiàn)當中，相信對加快直流開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)發(fā)過(guò)程會(huì )起到一個(gè)事半功倍的效果。
通常印刷線(xiàn)路板（泛指所有電子設備的印刷線(xiàn)路板）自身的電磁兼容問(wèn)題與線(xiàn)路板里的電磁干擾源、干擾耦合路徑及受干擾的敏感部件有關(guān)系。
但是對直流開(kāi)關(guān)電源這樣設備的電磁兼容問(wèn)題，就不止是一個(gè)自身的電磁兼容問(wèn)題，還有向外的侵擾發(fā)射問(wèn)題，當然還有一個(gè)外界的電磁侵擾對直流開(kāi)關(guān)電源的干擾問(wèn)題。這里著(zhù)重討論直流開(kāi)關(guān)電源向外的侵擾發(fā)射問(wèn)題，特別是輻射侵擾發(fā)射的問(wèn)題。
我們知道，當傳輸線(xiàn)或印刷線(xiàn)路板里有射頻電流通過(guò)時(shí)，該電流從電流發(fā)生電路流出，到達負載后，還要通過(guò)返回路徑回到電流發(fā)生器，形成電流的閉合回路。電流在流過(guò)閉合回路時(shí)就會(huì )產(chǎn)生磁場(chǎng)。按照電磁場(chǎng)理論，伴隨磁場(chǎng)產(chǎn)生的同時(shí)，又會(huì )產(chǎn)生一個(gè)輻射的電場(chǎng)。通過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)的交互作用就形成了射頻輻射能量的產(chǎn)生與傳播。這就是印刷線(xiàn)板引起輻射干擾的主要原因。
這樣看來(lái)，消除印刷線(xiàn)路板中磁場(chǎng)的發(fā)生是消除電磁干擾源的主要手段，其中印刷線(xiàn)路板的布局和布線(xiàn)便成為印刷線(xiàn)路板設計的首要任務(wù)。在高頻直流開(kāi)關(guān)電源的設計時(shí)這個(gè)問(wèn)題尤其突出，因為直流開(kāi)關(guān)電源是功率電路，高頻與大電流是直流開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾的主要問(wèn)題。
4.1 直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾發(fā)生
圖2 是介紹在《直流開(kāi)關(guān)電源的傳導侵擾抑制問(wèn)題》時(shí)用于說(shuō)明電源中電磁侵擾產(chǎn)生與耦合途徑的示意圖。
在直流開(kāi)關(guān)電源工作時(shí)，初級逆變回路中的開(kāi)關(guān)管Q處在高頻通斷狀態(tài)，經(jīng)由高頻變壓器T初級線(xiàn)圈、開(kāi)關(guān)管Q和輸入濾波電容C8形成了一個(gè)高頻電流環(huán)路。這個(gè)環(huán)路的存在，就可能對空間形成電磁輻射。
直流開(kāi)關(guān)電源在工作時(shí)，次級整流回路的D5也處于高頻通斷狀態(tài)。由高頻變壓器次級線(xiàn)圈、整流二極管D5和濾波電容C9構成了高頻開(kāi)關(guān)電流的環(huán)路。由于有這個(gè)環(huán)路的存在，同樣也有可能對空間形成電磁輻射。
另外，初級回路中變壓器漏感的存在會(huì )加劇初級開(kāi)關(guān)管電壓波形的變化，進(jìn)而影響直流開(kāi)關(guān)電源經(jīng)由開(kāi)關(guān)管散熱器向外傳遞的共模電流的高頻成份，加劇輻射的共模發(fā)射。
而次級整流回路整流二極管在截止瞬間非常劇烈的電流變化，會(huì )在次級整流回路（因變壓器漏感和二極管結電容存在的回路）中產(chǎn)生高頻衰減振蕩，加劇了對外的差模輻射。
4.2 由“環(huán)天線(xiàn)”引起的電磁輻射
直流開(kāi)關(guān)電源工作時(shí)，由于有初級逆變回路和次級整流回路兩個(gè)電流發(fā)生瞬變的環(huán)路存在，這樣，變化的電流必然會(huì )伴生一個(gè)變化的磁場(chǎng)。而變化的磁場(chǎng)又要產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。這種電場(chǎng)和磁場(chǎng)變化將會(huì )交替地產(chǎn)生，由近及遠、互相垂直、以光速在空間內傳播能量的形式，形成了直流開(kāi)關(guān)電源電磁輻射的發(fā)射。
圖3是由初級逆變回路和次級整流回路中的差模電流所產(chǎn)生的輻射矢量示意圖。
其磁場(chǎng)強度H可近似用以下方程計算：
Hθ(θ)=（－πI/r）（A/λ2）sinθ
電場(chǎng)強度E可近似用以下方程計算：
Eφ(θ)=131.6×10－16（f 2AI）（1/r）sinθ
式中：Hθ是磁場(chǎng)強度，單位A/m
Eφ是電場(chǎng)強度，單位V/m；
I是環(huán)中的電流，單位A；
A是環(huán)路的面積，單位m2；
r是計算點(diǎn)與環(huán)中心的距離，單位m；
f是頻率，單位Hz；
λ是頻率所對應的波長(cháng)；
θ計算點(diǎn)與環(huán)中心垂直軸的夾角。
以上各式適用于自由空間的小型天線(xiàn)，且天線(xiàn)周?chē)鷽](méi)有任何反射物體。
在電場(chǎng)強度E的計算公式中，第一項是自由空間的傳輸特性；第二項是輻射源的特性；第三項是輻射源向遠處傳輸時(shí)的電場(chǎng)衰減特性；最后一項是以輻射環(huán)平面中心垂直軸為參考，與測量天線(xiàn)方向的夾角。
由于大多數電子設備的輻射測量都不是在自由空間里進(jìn)行，而是在地面開(kāi)闊場(chǎng)上進(jìn)行測量，地面的反射會(huì )使輻射發(fā)射的測量值增大，最大可達1倍。
考慮了地面反射的影響，則電場(chǎng)強度的最大發(fā)射表達式可改寫(xiě)為：
Eφ(θ)=263×10－16（f 2AI）（1/r）
此式可用于估算差模發(fā)射的水平。
利用此式還可以知道，若想減小環(huán)路天線(xiàn)的向外輻射，應該從減小電流、減小環(huán)路面積和降低工作頻率入手。
4.3 通過(guò)減小環(huán)路面積來(lái)減小直流開(kāi)關(guān)電源的輻射噪聲
在上述對輻射有影響的三個(gè)參數中，I 和f 涉及基本電路的設計，不能輕易改變。所以唯一能有效抑制輻射，而且能為設計人員自如掌控的也只有減小環(huán)路面積A這一參數了。對照圖2，盡可能地減小環(huán)路面積是減小輻射噪聲的重要途徑，為此，要求直流開(kāi)關(guān)電源的印刷線(xiàn)路板的布局和布線(xiàn)中，元器件的排列彼此要緊密，布線(xiàn)中的電流線(xiàn)和它的回線(xiàn)要彼此靠近。在初級回路中，要求輸入電容器、晶體管和變壓器應該被此靠近。在次級回路中，要求二極管與變壓器和輸出電容被此貼近。圖4是一個(gè)初級回路布線(xiàn)的示意。
在印刷板布局上，減小回路面積的方法：一種簡(jiǎn)單的方法是在載流導線(xiàn)旁邊上布一條地線(xiàn)，這條地線(xiàn)應盡量靠近載流導線(xiàn)。這樣就形成了較小的回路面積，這有利于減小差模輻射和對外界干擾的敏感度。
如果是雙層線(xiàn)路板，可以在線(xiàn)路板的另一面，緊靠近載流導線(xiàn)的下面，沿著(zhù)載流導線(xiàn)布一條地線(xiàn)，地線(xiàn)盡量寬些。這樣形成的回路面積等于線(xiàn)路板的厚度乘以載流導線(xiàn)的長(cháng)度。而平行緊靠的正負載流導體所產(chǎn)生的外部磁場(chǎng)是趨于相互抵消的。
另一種有效的布局方案是將正負載流導體布在同一面上，彼此靠近，而印刷板的反面僅作為“地”（或另一恒定電位面），使“地”板感應的鏡象電流與相對的磁場(chǎng)趨于抵消。
一個(gè)更好的辦法是采用多層印刷線(xiàn)路板，這時(shí)接地層直接布在電源層的上面，由于層間距離達到最最接近的程度，對輻射的抑制可以有最好的效果，當然這也是以成本為代價(jià)的。
圖5是采用SG6840控制器的直流開(kāi)關(guān)電源例子。
圖6 是用SG6840控制器做成的直流開(kāi)關(guān)電源實(shí)物。
圖7則是印刷線(xiàn)路板的布局和布線(xiàn)。
4.4 通過(guò)采用緩沖吸收來(lái)降低開(kāi)關(guān)頻率中的高次諧波成分
直流開(kāi)關(guān)電源初級和次級的環(huán)路電流I 及工作頻率f 涉及基本電路的設計，一經(jīng)設計定型，不能輕易改變。
然而直流開(kāi)關(guān)電源的工作頻率f 僅僅是基波頻率，從目前的設計水平來(lái)看，通常是50kHz至200kHz，或更高一點(diǎn)，即使這樣，就電磁侵擾發(fā)射角度來(lái)看，實(shí)際上處在一個(gè)很低的頻段之內，尚不可能形成高頻的電磁輻射。標準規定的射頻輻射的測量頻段為30MHz以上，能夠達到這一頻率范圍的只可能是開(kāi)關(guān)頻率的諧波分量。
圖8是用來(lái)說(shuō)明直流開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)波形中諧波分量的輻射發(fā)射能量分析圖。
圖中可以看出，諧波分量的大小與開(kāi)關(guān)的梯形波上升沿時(shí)間tr有關(guān)，tr越小，諧波分量的能量越大。上升沿時(shí)間tr決定頻譜的拐點(diǎn)，為了減小輻射發(fā)射，最重要的是要盡量降低開(kāi)關(guān)頻率或增大梯形波的上升沿時(shí)間tr 。就直流開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，著(zhù)重處理初級逆變電路和次級高頻整流濾波電路的波形。
4.4.1 對初級高頻高壓逆變回路的處理
對于開(kāi)關(guān)晶體管因驅動(dòng)高頻變壓器原邊所感應出來(lái)的高壓尖峰和輻射侵擾應當采用緩沖和箝位的方法予以克服。圖9是幾種可能的方案。
應該說(shuō)緩沖和箝位有著(zhù)截然不同的使用目的，使用不妥將對直流開(kāi)關(guān)電源中的半導體器件的可靠性產(chǎn)生有害影響。
緩沖吸收電路（主要由電阻、電容和二極管電路組成）被用來(lái)減少尖峰電壓的幅度和減少電壓波形的變化率，這對于半導體器件使用的安全性是有好處的。與此同時(shí)，緩沖吸收電路還降低了射頻輻射的頻譜成分，有益于降低射頻輻射的能量。與TVS管的箝位方案相比，緩沖吸收電路具有較低的成本和較高的直流開(kāi)關(guān)電源效率，但要求精心設計、精心調試。
⑴ 部分緩沖電路（圖9右側緩沖電路）的分析
① 電容緩沖吸收電路
這是比RC和RCD緩沖電路更加簡(jiǎn)單、更加基本的緩沖電路，直接將電容跨接在開(kāi)關(guān)晶體管漏源之間。導通時(shí)，電容通過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管放電到零；當開(kāi)關(guān)管截止時(shí)，電源經(jīng)由開(kāi)關(guān)變壓器初級向電容器充電，電容兩端的電壓“緩慢”上升，抑制了開(kāi)關(guān)管上的電壓變化和尖峰電壓的形成。只是開(kāi)關(guān)管導通時(shí)電容要被短路，電容直接經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)管放電到零，會(huì )在開(kāi)關(guān)管中產(chǎn)生很大的尖峰電流，使開(kāi)關(guān)晶體管的導通損耗大大增加。電容越大，對開(kāi)關(guān)管上的尖峰電壓的抑制作用越好，但是在開(kāi)關(guān)管導通時(shí)的電流尖峰和導通損耗也越大。所以實(shí)際使用時(shí)，對電容緩沖電路的限制較多，電容的值只能用得較小，使用效果一般。
② RC阻容緩沖吸收電路
為了克服電容緩沖吸收電路的缺點(diǎn)，可采用RC阻容緩沖吸收電路來(lái)代替單個(gè)電容。由于電阻R的參入，使得在開(kāi)關(guān)晶體管斷開(kāi)時(shí)的緩沖作用比電容為差。但在開(kāi)關(guān)管導通瞬間由于R的存在，限制了開(kāi)關(guān)管導通時(shí)的電流峰值。R值不同，對緩中吸收的效果也不同。R越大，緩沖吸收越差。實(shí)用中R的阻值都取得比較小。這種緩沖吸收電路在雙極晶體管和MOSFET的過(guò)電壓保護中用得非常廣泛。
③ RCD緩沖吸收電路
RCD緩沖吸收電路與RC阻容緩沖吸收電路的不同在于在電阻R的兩端并聯(lián)了一個(gè)二極管。這一改進(jìn)使得開(kāi)關(guān)晶體管在截止瞬間電源經(jīng)由二極管向電容C充電，由于二極管順向導通的壓降很小，所以對開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)斷時(shí)的過(guò)電壓緩沖吸收效果與單個(gè)電容相當。而當開(kāi)關(guān)晶體管導通時(shí)，二極管的單向導電作用使得入電容的放電只能經(jīng)過(guò)串聯(lián)電阻R進(jìn)行，其作用與RC阻容緩沖吸收電路相當。在RCD緩沖吸收電路設計時(shí)，要保證當開(kāi)關(guān)晶體管斷開(kāi)時(shí)，電容C要充電到電源電壓值；而當開(kāi)關(guān)管導通時(shí)電容上的電荷要經(jīng)過(guò)電阻R完全放光。因此，在每一個(gè)開(kāi)關(guān)周期中，電容上儲存的能量要全部消耗在電阻R上，故這種緩沖吸收電路要消耗的能量比較大，但效果比前兩種緩沖吸收電路要好。由于這種電路的能量損耗正比于直流開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率，對于在頻率很高的直流開(kāi)關(guān)電源上較少采用。
⑵ 箝位電路的分析
箝位電路（圖8中采用的是半導體瞬變電壓吸收二極管與高速、高反壓二極管的串聯(lián)電路來(lái)?yè)危﹥H被用來(lái)減少尖峰電壓的幅度，而對于dv/dt的瞬變沒(méi)有任何改善作用。因此，箝位電路對于減少因瞬變造成的輻射侵擾幾乎無(wú)用。箝位電路主要用來(lái)防止半導體器件和電容器有被擊穿的危險。實(shí)用中，綜合箝位電路的保護作用和直流開(kāi)關(guān)電源的效率要求，TVS管的擊穿電壓一般選擇在初級繞組感應電壓的1.5倍左右為適宜。
另外，與RC或RCD緩沖電路相比，TVS管箝位電路使用的元件數量最少，所占印刷電路板的面積也比較小。
無(wú)論是緩沖吸收或者是箝位電路，在安裝布局時(shí)要靠近主開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器，并且要縮短包括器件引線(xiàn)在內的所有配線(xiàn)。
緩沖和箝位電路對于開(kāi)關(guān)波形的作用見(jiàn)圖10所示。
4.4.2 對次級整流回路的處理
對于次級回路中作整流的高速二極管的反向恢復現象，在晶體管截止瞬間出現電流的陡變，因其有著(zhù)很高的di/dt值，而產(chǎn)生的輻射能量。
為了控制這種輻射：
①可以在變壓器輸出引線(xiàn)到整流二極管的饋線(xiàn)中使用磁珠。
②在高速二極管的兩端跨接低損耗陶瓷電容（或聚酯薄膜電容器）與電阻串聯(lián)而成的緩沖電路。其中電容的典型值為330pF～4700pF，或更大（如10000pF）；電阻為0Ω～27Ω。電阻所消耗的功率PR可作如下估算：
PR ＝CS(VS ) 2f
式中：
CS是并聯(lián)電容，F；
VS是次級電壓，V；
f 是直流開(kāi)關(guān)電源工作的頻率，Hz。
上式表明，緩沖電路的電容越大，將來(lái)在電阻上的功率損耗也越大，直流開(kāi)關(guān)電源的效率會(huì )變得低些。通常直流開(kāi)關(guān)電源整流二極管上緩沖電路的參數是采用實(shí)物試探法來(lái)選擇的，應當在直流開(kāi)關(guān)電源的設計階段就加以確定。此外，為了取得盡量好的緩沖吸收效果，緩沖電路要盡量靠近整流二極管來(lái)安裝。
③使用軟恢復二極管（在直流輸出電壓比較低的場(chǎng)合，還可采用肖特基二極管。一方面由于反向恢復時(shí)間短，可以不用緩沖電路；另一方面由于順向壓降低，使得直流開(kāi)關(guān)電源在輸出電壓比較低的情況下，也能取得比較高的效率）。
4.5 直流開(kāi)關(guān)電源印刷線(xiàn)路板的設計
前面講述了直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾的抑制，著(zhù)重于從印刷線(xiàn)路板的布局和緩沖吸收電路的采用等幾個(gè)方面來(lái)進(jìn)行敘述。但是就印刷線(xiàn)路板的設計來(lái)看，這還是不夠的，至少還應當包含地線(xiàn)的噪聲、印刷線(xiàn)路的長(cháng)度、印刷線(xiàn)路之間的耦合等有關(guān)問(wèn)題。所以在結束《直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾抑制問(wèn)題》這一話(huà)題前還想講一講直流開(kāi)關(guān)電源印刷線(xiàn)路板設計方面的事情。
通常直流開(kāi)關(guān)電源的印刷電路板是直流開(kāi)關(guān)電源設計的最后一個(gè)環(huán)節，但是設計不當，就有可能會(huì )輻射出過(guò)多的電磁侵擾。應該指出，要對直流開(kāi)關(guān)電源所有的線(xiàn)路都實(shí)現最佳布線(xiàn)是不可能的，所以要抓住重點(diǎn)。從電磁侵擾發(fā)射的角度考慮，最重要的信號是高電流和電壓變化率（di/dt和dv/dt）信號。對直流開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)是初級的開(kāi)關(guān)調整回路和次級的整流輸出回路。這兩個(gè)回路都包含高幅值的梯形電流，其中的諧波成分很高，其頻率遠高于開(kāi)關(guān)的基頻。因此這兩個(gè)回路最容易產(chǎn)生電磁干擾，必須在電源中先于其它印制線(xiàn)布線(xiàn)之前布好這兩個(gè)回路。這兩個(gè)回路都包含三種主要的元件，分別是濾波電容、開(kāi)關(guān)晶體管或整流二極管、以及電感或變壓器。這些器件應彼此相鄰地進(jìn)行放置，開(kāi)關(guān)晶體管和整流二極管的位置應該使它們之間的電流路徑盡可能短。最佳設計流程如下：
① 放置變壓器
② 設計電源的初級開(kāi)關(guān)電流回路
③ 設計電源的次級整流輸出回路
另外，從敏感度的角度出發(fā)，針對直流開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)反饋控制則是最重要的敏感線(xiàn)路（這里包括與這部分電路相關(guān)的地線(xiàn)處理，參看本講座的圖7）。
一旦把這些重要信號分離出來(lái)，在直流開(kāi)關(guān)電源的印刷電路板設計時(shí)就可以把重點(diǎn)放到這些線(xiàn)路的設計上，其他問(wèn)題也就容易解決了。
在對直流開(kāi)關(guān)電源印刷電路布局時(shí)要掌握以下原則：
① 首先是印刷電路板的尺寸。尺寸不能過(guò)大，否則印刷線(xiàn)條太長(cháng)，使阻抗增加，而抗干擾的能力下降，成本也增加。尺寸過(guò)小則散熱不好，且鄰近線(xiàn)條間易受干擾。電路板的最佳形狀是矩形，長(cháng)寬比為3︰2或4︰3。并從印刷電路板的兩端引進(jìn)線(xiàn)和出線(xiàn)（一端是進(jìn)線(xiàn)，另一端是出線(xiàn)。進(jìn)線(xiàn)和出線(xiàn)不能靠得太近）。
② 由于線(xiàn)路的長(cháng)度反映出印制線(xiàn)響應的波長(cháng)，長(cháng)度越長(cháng)，印制線(xiàn)能發(fā)送和接收電磁波的頻率就越低，也就能輻射或接受出更多的射頻能量。另外，從減少環(huán)路電阻和減小公共路徑的相互干擾出發(fā)，根據通過(guò)電流的大小，盡量加大印刷線(xiàn)布線(xiàn)的寬度。
因此在布局和布線(xiàn)時(shí)要以功能電路核心元件為中心，圍繞它來(lái)進(jìn)行布局。元器件應均勻、整齊、緊湊地排列在印刷電路板上。盡量減少和縮短各元器件之間的引線(xiàn)和連接，緩沖電路要盡量靠近被保護的器件，盡可能地減小關(guān)鍵環(huán)路的面積，以抑制直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾。
③ 直流開(kāi)關(guān)電源的印刷電路布局時(shí)，要按照電路的流程安排各個(gè)功能電路單元的位置，使布局便于信號流通，并使信號盡可能保持一致的方向。還要考慮元器件之間的分布參數。一般應盡可能使元器件平行排列。這樣，不但美觀(guān)，而且裝焊容易，便于批量生產(chǎn)。
5. 直流開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性處理實(shí)例
經(jīng)實(shí)驗室測試，某款直流開(kāi)關(guān)電源的輻射侵擾超過(guò)標準限值在20dB左右，采用實(shí)驗室里容易實(shí)現的措施進(jìn)行如下改進(jìn)：
●在所有整流二極管兩端并470pF電容；
●在開(kāi)關(guān)管控制極的輸入端并聯(lián)50pF電容，與原有的39Ω電阻形成一個(gè)RC低通濾波器；
●在各輸出濾波電容（電解電容）上并聯(lián)一個(gè)0.01μF電容；
●在整流二極管管腳上套一個(gè)小磁珠；
●改善屏蔽體的接地。
經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)后，該電源就通過(guò)輻射干擾測試的限值要求。
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