直流開(kāi)關(guān)電源 EMI 探討
●EMI 產(chǎn)生的根源：
★第一、直流開(kāi)關(guān)電源的最大缺點(diǎn)是因切換動(dòng)作（TURN-ON或TURN OFF）產(chǎn)生雜訊電壓為其雜訊源。因切換動(dòng)作的波形為方波，而方波含有很多高次諧波。（ dv/dt）
★第二、由于開(kāi)關(guān)電晶體的非線(xiàn)性及二極體的反向恢復特性，電流作快速的非線(xiàn)性變化引起雜訊。 （di/dt）
●EMI的傳播方式和途徑：
★EMI干擾信號按其特性可分為共模信號（COMMON MODE）和差模信號（DIFFERENTIAL MODE）。
★共模信號：干擾信號電流的在兩條回路的導線(xiàn)上的電流方向相對大地是相同的信號，稱(chēng)為共模信號，見(jiàn)下左圖；
★差模信號：干擾信號電流的在兩條回路的導線(xiàn)上的電流方向相對大地是相反的信號，稱(chēng)為差模信號，見(jiàn)下右圖。
●常用低通濾波結構的劃分
●直流開(kāi)關(guān)電源輸入濾波器的設計：
★共模差模分開(kāi)設計（以π型為例）
★濾波器共模部分設計
★濾波器差模部分設計
●濾波器的安裝：
●共模電感的繞制
共模扼流圈中的負載電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵銷(xiāo)，因此磁芯不會(huì )飽和。
●磁珠阻抗
注意：共模電感和磁珠 需要測量溫升!!
拓撲EMI 分析舉例
Flyback 架構EMI 分析
●Flyback架構的高頻等效模型
●Noise 源：
大的di/dt和dv/dt 產(chǎn)生的地方，對Flyback架構來(lái)說(shuō)，會(huì )產(chǎn)生這些變化的主要有：
★變壓器TX1；
★MOSFET Q1 ；
★輸出二極管D1；
★芯片的RC振蕩；
★驅動(dòng)信號線(xiàn)；
Q1 上 Vds 的波形
MOSFET 動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的Noise ：如 上圖所示，主要來(lái)自三個(gè)方面：
①Mosfet開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)，具有很寬的頻譜含量，開(kāi)關(guān)頻率的諧波本身就是較強的干擾源。
②關(guān)斷時(shí)的振蕩 1產(chǎn)生較強的干擾。
③關(guān)斷時(shí)的振蕩 2產(chǎn)生較強的干擾。
開(kāi)關(guān)管 Q1關(guān)斷，副邊二極管D1導通時(shí)（帶載），原邊的勵磁電感被鉗制，原邊漏感Lep的能量通過(guò)Q1的寄生電容Cds進(jìn)行放電，主放電回路為L(cháng)ep—Cds—Rs—C1—Lep，此時(shí)產(chǎn)生振蕩振蕩的頻率為：
在Lep上的振蕩電壓Vlep迭加在2Vc1上，致使Vds=2Vc1+Vlep 。振蕩的強弱，將決定我們選取的管子的耐壓值、電路的穩定性。
量測Lep=6.1uH, Q1為2611查規格書(shū)可得Coss=190pF（Coss近似等于Cds）,而此充電板為兩個(gè)管子并聯(lián)，所以Cds=380pF 。由上式可求得f =3.3 MHz，和下圖中的振蕩頻率吻合。
從圖中可看出 此振蕩是一衰減的振蕩波，其初始的振蕩峰值決定于振蕩電路的Q值：Q值越大，峰值就越大。Q值小，則峰值小。為了減小峰值，可減小變壓器的漏感Lep,加大Cds和電路的阻抗R。而加入Snubber電路是 極有效之方法。
振蕩2發(fā)生在Mosfet Q1關(guān)斷，副邊二極管由通轉向關(guān)斷，原邊勵磁電感被釋放(這時(shí)Cds被充至2Vc1)，Cds和原邊線(xiàn)圈的雜散電容Clp為并聯(lián)狀態(tài)，再和原邊電感Lp（勵磁電感和漏感之和）發(fā)生振蕩。放電回路同振蕩1。振蕩頻率為：
在Lp上的振蕩電壓Vlp迭加在Vc1上，致使Vds=Vc1+Vlp 。量測Lp=0.4mH；Q1為2611，查規格書(shū)可得Coss=190pF（Coss近似等于Cds）,而此充電板為兩個(gè)管子并聯(lián)，所以Cds=380pF；Clp在200KHz時(shí)測得為Clp=1.6nF。由上式可求得：f =178.6KHz，和下圖中190.5K吻合。
●我們可實(shí)行的改善措施有兩個(gè)：
★1、減小Noise的大??；
★2、切斷或改善傳播途徑。
1.減小Noise 的大?。?/p>
首先考慮以下三個(gè)方面：
①Mosfet、Diode動(dòng)作時(shí)，具有很寬的頻譜含量，開(kāi)關(guān)頻率的諧波本身就是較強的干擾源。
措施：在滿(mǎn)足所要求的效率、溫升條件下，我們可盡量選開(kāi)關(guān)較平緩的管子。而通過(guò)調節驅動(dòng)電阻也可達到這一目的。
②Q1、D1 的振蕩 1會(huì )產(chǎn)生較強的干擾。
措施：
*對寄生電容Cds、Cj 的處理：在Q1的ds極、二極管的兩端各并上一681小電容，來(lái)降低電路的Q 值，從而降低振蕩的振幅A，同時(shí)能降低振蕩頻率f。需注意的是：此電容的能量1/2Cu2將全部消耗在Q1上，所以管子溫升是個(gè)問(wèn)題。解決的辦法是使用RC snubber, 讓能量 消耗在 R上。同時(shí)R能起到減小振幅的作用。
*對變壓器的漏感Le的處理：
1、變壓器采用 三明治 繞法，以減小漏感。
2、在變壓器的繞組上加吸收電路。
3、減小Q1 D極到變壓器的引線(xiàn)長(cháng)度。（此引線(xiàn)電感和漏感相迭加）采取上述 措施降低振蕩 1的影響之后得下圖。
③： Q1 D1 上的振蕩 2 會(huì )產(chǎn)生較強干擾。
分析方法和②相同，但此時(shí) 電感已變得很大了（主要為為勵磁電感），因此漏感和引線(xiàn)電感對③的影響相對較小。
同樣從上面的分析中，可看出Nosie 的傳播途徑主要是通過(guò)變壓器的雜散電容Ctx；
Mosfet/Diode到散熱片的雜散電容Cm/Cd；及散熱片到地的雜散電容Ce等途徑而耦合到LISN被取樣電阻所俘獲。
措施一：在Rs的地端和C2的地間接一個(gè)Y電容（４７２）。
原理分析：它的作用是雙重的，一是為Mosfet動(dòng)作產(chǎn)生且串到變壓器副邊的noise 電流（如I4）,提供一個(gè)低阻抗的回路，減小到地的電流。二是為二次側Diode產(chǎn)生的且串到變壓器原邊的noise 電流提供低阻抗回路，從而減小流過(guò)LISN的電流。
其效果如下圖：紅色為：未改善之前；藍色為：采取措施之后
措施二：變壓器加法拉第銅環(huán)：
變壓器是Noise傳播的主要通道之一，其中初級線(xiàn)圈和次級線(xiàn)圈間雜散電容Ctx是重要因素。而在變壓器內部加法拉第銅環(huán)是減小Ctx 的有效的方法之一。
措施三：散熱片接Rs的地端：
目的為了將 散熱片－Ce—地－LISN這一支路 旁路掉，從而減小到地的電流。其效果如下圖：可看出，在低頻時(shí)較有效；在高頻時(shí)， 效果不明顯，這主要是因為在高頻時(shí)，管腳直接對地的電容已有相當的作用。
紅色為：散熱片未接地；藍色為：散熱片接地
當綜合上述所有措施后，EMI總效果對比如圖所示：
紅色為：未采取措施前；藍色為：綜合上述措施后
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