晶閘管是一種電流控制型的雙極型半導體器件，它求門(mén)極驅動(dòng)單元類(lèi)似于一個(gè)電流源，能向晶閘管的門(mén)極提供一個(gè)特別陡直的尖峰電流脈沖，以保證在任何時(shí)刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管的門(mén)極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數有非常強烈的影響。采用強觸發(fā)方式可以使器件的開(kāi)通時(shí)間縮短、開(kāi)通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。
一.觸發(fā)脈沖幅值對晶閘管開(kāi)通的影響
晶閘管的門(mén)極觸發(fā)電流幅值對元件的開(kāi)通速度有十分明顯的影響，高的門(mén)極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開(kāi)通時(shí)間。
在觸發(fā)脈沖幅值僅為器件IGT時(shí)，器件雖可開(kāi)通，但器件開(kāi)通時(shí)間延遲明顯，會(huì )高達數十微妙，這對于整機設備的可靠控制、安全運行是不利的。
二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對晶閘管開(kāi)通的影響
觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對晶閘管的開(kāi)通速度也有明顯的影響，觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(cháng)，效果就等于降低了門(mén)極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時(shí)間越短的情況下，晶閘管的開(kāi)通時(shí)間也越短。
三.晶閘管可靠觸發(fā)對門(mén)極觸發(fā)源要求
(1) 一般要求：
觸發(fā)脈沖電流幅值：IG = 10 IGT;
脈沖上升時(shí)間：tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運用：
器件在高di/dt下運用時(shí)，特別是當晶閘管的阻斷電壓很高時(shí)，在開(kāi)通過(guò)程中門(mén)-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會(huì )超過(guò)門(mén)極電壓，嚴重時(shí)，甚至會(huì )使門(mén)極電流倒流。這種負的門(mén)極電流會(huì )引起開(kāi)通損耗增加，可能會(huì )導致器件高di/dt損壞。
因此，我們要求在高di/dt下運用時(shí)，門(mén)極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V，或在門(mén)極線(xiàn)路上串聯(lián)二極管，防止門(mén)極電流倒流。
(3) 晶閘管串并聯(lián)使用
晶閘管的串聯(lián)：晶閘串聯(lián)管應用時(shí)，要求其相互串聯(lián)的每個(gè)晶閘管應盡可能地一致開(kāi)通。晶閘管的并聯(lián)：陡而強的門(mén)極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開(kāi)通特性的不平衡降至最小，從而使有最佳的均流效果。
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