光耦的技術(shù)參數主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat)。此外，在傳輸數字信號時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲時(shí)間等參數。
（CTR：發(fā)光管的電流和光敏三極管的電流比的最小值。隔離電壓：發(fā)光管和光敏三極管的隔離電壓的最小值。）
集電極-發(fā)射極電壓：集電極-發(fā)射極之間的耐壓值的最小值光耦什么時(shí)候導通?什么時(shí)候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲線(xiàn)呈非線(xiàn)性，在IF較小時(shí)的非線(xiàn)性失真尤為嚴重，因此它不適合傳輸模擬信號。線(xiàn)性光耦合器的CTR-IF特性曲線(xiàn)具有良好的線(xiàn)性度，特別是在傳輸小信號時(shí)，其交流電流傳輸比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流電流傳輸比CTR值。因此，它適合傳輸模擬電壓或電流信號，能使輸出與輸入之間呈線(xiàn)性關(guān)系。這是其重要特性。
電流傳輸比是光耦合器的重要參數，通常用直流電流傳輸比來(lái)表示。當輸出電壓保持恒定時(shí)，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。采用一只光敏三極管的光耦合器，CTR的范圍大多為20%～300%(如4N35)，而pc817則為80%～160%，臺灣億光(如EL817)可達50%～600%。這表明欲獲得同樣的輸出電流，后者只需較小的輸入電流。因此，CTR參數與晶體管的hFE有某種相似之處。
使用光電耦合器主要是為了提供輸入電路和輸出電路間的隔離，在設計電路時(shí)，必須遵循下列所選用的光電耦合器件必須符合國內和國際的有關(guān)隔離擊穿電壓的標準;由臺灣億光生成生產(chǎn)的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在國內應用地十分普遍。鑒于此類(lèi)光耦合器呈現開(kāi)關(guān)特性，其線(xiàn)性度差，適宜傳輸數字信號(高、低電平)，可以用于單片機的輸出隔離;所選用的光耦器件必須具有較高的耦合系數。
在直流開(kāi)關(guān)電源的隔離中，以及設計光耦反饋式直流開(kāi)關(guān)電源時(shí)必須正確選擇線(xiàn)性光耦合器的型號及參數，除了必須遵循普通光耦的選取原則外，還必須遵循下列原則：
1、推薦采用線(xiàn)性光耦合器，其特點(diǎn)是CTR值能夠在一定范圍內做線(xiàn)性調整。
2、光耦合器的電流傳輸比(CTR)的允許范圍是50%～200%。這是因為當CTR<50%時(shí)，光耦中的LED就需要較大的工作電流(IF>5.0mA)，才能正?？刂茊纹绷鏖_(kāi)關(guān)電源IC的占空比，這會(huì )增大光耦的功耗。若CTR>200%，在啟動(dòng)電路或者當負載發(fā)生突變時(shí)，有可能將單片直流開(kāi)關(guān)電源誤觸發(fā)，影響正常輸出。
3、若用放大器電路去驅動(dòng)光電耦合器，必須精心設計，保證它能夠補償耦合器的溫度不穩定性和漂移。
以下是常見(jiàn)光電耦合器PC817系列的一些參數(僅供參考)
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