FS1:
由變壓器核算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知運用公司共享料2A/250V，規劃時(shí)亦須考慮Pin(max)時(shí)的Iin是否會(huì )超越保險絲的額外值。
TR1(熱敏電阻):
直流電源發(fā)動(dòng)的瞬間，由于C1(一次側濾波電容)短路，導致Iin電流很大，盡管時(shí)刻很時(shí)刻短，但亦可能對Power發(fā)作損傷，所以有必要在濾波電容之前加裝一個(gè)熱敏電阻，以約束開(kāi)機瞬間Iin在Spec之內(115V/30A，230V/60A)，但因熱敏電阻亦會(huì )耗費功率，所以不行放太大的阻值(否則會(huì )影響功率)，一般運用5Ω-10Ω熱敏，若C1電容運用較大的值，則有必要考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般運用在大瓦數的Power上)。
VDR1(突波吸收器):
當雷極發(fā)作時(shí)，可能會(huì )損壞零件，進(jìn)而影響Power的正常動(dòng)作，所以有必要在靠AC輸入端 (Fuse之后)，加上突波吸收器來(lái)維護Power(一般常用07D471K)，但若有價(jià)格上的考慮，可先疏忽不裝。
CY1，CY2(Y-Cap):
Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容，若AC Input有FG(3 Pin)一般運用Y2- Cap ， AC Input若為2Pin(只有L，N)一般運用Y1-Cap，Y1與Y2的差異，除了價(jià)分外(Y1較貴重)，絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱(chēng)為兩層絕緣，絕緣耐壓約為Y2的兩倍，且在電容的本體上會(huì )有“回”符號或注明Y1)，此電路蛭 蠪G所以運用Y2-Cap，Y-Cap會(huì )影響EMI特性，一般來(lái)說(shuō)越大越好，但須考慮漏電及價(jià)格問(wèn)題，漏電(Leakage Current )有必要契合安規須求(3Pin公司標準為750uA max)。
CX1(X-Cap)、RX1:
X-Cap為防制EMI零件，EMI可分為Conduction及Radiation兩部分，Conduction標準一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 ， FCC測驗頻率在450K~30MHz，CISPR 22測驗頻率在150K~30MHz， Conduction可在廠(chǎng)內以頻譜剖析儀驗證，Radiation 則有必要到實(shí)驗室驗證，X-Cap 一般對低頻段(150K ~ 數M之間)的EMI防制有用，一般來(lái)說(shuō)X-Cap愈大，EMI防制作用愈好(但價(jià)格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包括0.22uf)，安規規則有必要要有泄放電阻(RX1，一般為1.2MΩ 1/4W)。
LF1(Common Choke):
EMI防制零件，首要影響Conduction 的中、低頻段，規劃時(shí)有必要一起考慮EMI特性及溫升，以相同尺寸的Common Choke而言，線(xiàn)圈數愈多(相對的線(xiàn)徑愈細)，EMI防制作用愈好，但溫升可能較高。
BD1(整流二極管):
將AC電源以全波整流的方法變換為DC直流電源，由變壓器所核算出的Iin值，可知只需運用1A/600V的整流二極管，由于是全波整流所以耐壓只需600V即可。
C1(濾波電容):
由C1的巨細(電容值)可決議變壓器核算中的Vin(min)值，電容量愈大，Vin(min)愈高但價(jià)格亦愈高，此部分可在電路中實(shí)踐驗證Vin(min)是否正確，若AC Input 范圍在90V~132V (Vc1 電壓最高約190V)，可運用耐壓200V的電容;若AC Input 范圍在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1電壓最高約380V，所以有必要運用耐壓400V的電容。
D2(輔佐直流電源二極管):
整流二極管，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，兩者首要差異:
耐壓不同(在此處運用差異無(wú)所謂)
VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)
R10(輔佐直流電源電阻):
首要用于調整PWM IC的VCC電壓，以現在運用的3843而言，規劃時(shí)VCC有必要大于8.4V(Min. Load時(shí))，但為考慮輸出短路的狀況，VCC電壓不行規劃的太高，防止當輸出短路時(shí)不維護(或輸入瓦數過(guò)大)。
C7(濾波電容):
輔佐直流電源的濾波電容，供給PWM IC較安穩的直流電壓，一般運用100uf/25V電容。
Z1(Zener 二極管):
當回授失效時(shí)的維護電路，回授失效時(shí)輸出電壓沖高，輔佐直流電源電壓相對進(jìn)步，此刻若沒(méi)有維護電路，可能會(huì )形成零件損壞，若在3843 VCC與3843 Pin3腳之間加一個(gè)Zener Diode，當回授失效時(shí)Zener Diode會(huì )崩潰，使得Pin3腳提早抵達1V，以此可約束輸出電壓，到達維護零件的意圖.Z1值的巨細取決于輔佐直流電源的凹凸，Z1的決議亦須考慮是否超越Q1的VGS耐壓值，原則上運用公司的現有料(一般運用1/2W即可).
R2(發(fā)動(dòng)電阻):
供給3843榜首次發(fā)動(dòng)的途徑，榜首次發(fā)動(dòng)時(shí)透過(guò)R2對C7充電，以供給3843 VCC所需的電壓，R2阻值較大時(shí)，turn on的時(shí)刻較長(cháng)，但短路時(shí)Pin瓦數較小，R2阻值較小時(shí)，turn on的時(shí)刻較短，短路時(shí)Pin瓦數較大，一般運用220KΩ/2W M.O。
R4 (Line Compensation):
高、低壓補償用，使3843 Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz挨近共同(一般運用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之間)。
R3，C6，D1 (Snubber):
此三個(gè)零件組成Snubber，調整Snubber的意圖:1.當Q1 off瞬間會(huì )有Spike發(fā)作，調整Snubber能夠保證Spike不會(huì )超越Q1的耐壓值，2.調整Snubber可改進(jìn)EMI.一般來(lái)說(shuō)，D1運用1N4007(1A/1000V)EMI特性會(huì )較好.R3運用2W M.O.電阻，C6的耐壓值以?xún)深^實(shí)踐壓差為準(一般運用耐壓500V的陶質(zhì)電容)。
Q1(N-MOS):
現在常運用的為3A/600V及6A/600V兩種，6A/600V的RDS(ON)較3A/600V小，所以溫升會(huì )較低，若IDS電流未超越3A，應該先以3A/600V為考慮，并以溫升記載來(lái)驗證，由于6A/600V的價(jià)格高于3A/600V許多，Q1的運用亦需考慮VDS是否超越額外值。
R8:
R8的作用在維護Q1，防止Q1呈現浮接狀況。
R7(Rs電阻):
3843 Pin3腳電壓最高為1V，R7的巨細須與R4合作，以到達凹凸壓平衡的意圖，一般運用2W M.O.電阻，規劃時(shí)先決議R7后再加上R4補償，一般將3843 Pin3腳電壓規劃在0.85V~0.95V之間(視瓦數而定，若瓦數較小則不能太挨近1V，防止因零件差錯而頂到1V)。
R5，C3(RC filter):
濾除3843 Pin3腳的噪聲，R5一般運用1KΩ 1/8W，C3一般運用102P/50V的陶質(zhì)電容，C3若運用電容值較小者，重載可能不開(kāi)機(由于3843 Pin3瞬間頂到1V);若運用電容值較大者，或許會(huì )有輕載不開(kāi)機及短路Pin過(guò)大的問(wèn)題。
R9(Q1 Gate電阻 ):
R9電阻的巨細，會(huì )影響到EMI及溫升特性，一般來(lái)說(shuō)阻值大，Q1 turn on / turn off的速度較慢，EMI特性較好，但Q1的溫升較高、功率較低(首要是由于turn off速度較慢);若阻值較小， Q1 turn on / turn off的速度較快，Q1溫升較低、功率較高，但EMI較差，一般運用51Ω-150Ω 1/8W。
R6，C4(操控振動(dòng)頻率):
決議3843的作業(yè)頻率，可由Data Sheet得到R、C組成的作業(yè)頻率，C4一般為10nf的電容(差錯為5%)，R6運用精細電阻，以DA-14B33為例，C4運用103P/50VPE電容，R6為3.74KΩ 1/8W精細電阻，振動(dòng)頻率約為45 KHz。
C5:
功用相似RC filter，首要功用在于使高壓輕載較不易振動(dòng)，一般運用101P/50V陶質(zhì)電容。
U1(PWM IC):
3843是PWM IC的一種，由Photo Coupler (U2)回授信號操控Duty Cycle的巨細，Pin3腳具有限流的作用(最高電壓1V)，現在所用的3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)兩種，兩者腳位相同，但發(fā)作的振動(dòng)頻率略有差異，UC3843BN較KA3843快了約2KHz，fT的添加會(huì )衍生出一些問(wèn)題(例如:EMI問(wèn)題、短路問(wèn)題)，因KA3843較難買(mǎi)，所以新機種規劃時(shí)，盡量運用UC3843BN。
R1、R11、R12、C2(一次側回路增益操控):
3843內部有一個(gè)Error AMP(差錯擴大器)，R1、R11、R12、C2及Error AMP組成一個(gè)負回授電路，用來(lái)調整回路增益的安穩度，回路增益，調整不恰當可能會(huì )形成振動(dòng)或輸出電壓不正確，一般C2運用立式積層電容(溫度持性較好)。
U2(Photo coupler)
光耦合器(Photo coupler)首要將二次側的信號變換到一次側(以電流的方法)，當二次側的TL431導通后，U2即會(huì )將二次側的電流依比例變換到一次側，此刻3843由Pin6 (output)輸出off的信號(Low)來(lái)關(guān)閉Q1，運用Photo coupler的原因，是為了契合安規需求(primacy to secondary的間隔至少需5.6mm)。
R13(二次側回路增益操控):
操控流過(guò)Photo coupler的電流，R13阻值較小時(shí)，流過(guò)Photo coupler的電流較大，U2變換電流較大，回路增益較快(需求承認是否會(huì )形成振動(dòng))，R13阻值較大時(shí)，流過(guò)Photo coupler的電流較小，U2變換電流較小，回路增益較慢，盡管較不易形成振動(dòng)，但需注意輸出電壓是否正常。
U3(TL431)、R15、R16、R18
調整輸出電壓的巨細， ，輸出電壓不行超越38V(由于TL431 VKA最大為36V，若再加Photo coupler的VF值，則Vo應在38V以下較安全)，TL431的Vref為2.5V，R15及R16并聯(lián)的意圖使輸出電壓能微調，且R15與R16并聯(lián)后的值不行太大(盡量在2KΩ以下)，防止形成輸出禁絕。
R14，C9(二次側回路增益操控):
操控二次側的回路增益，一般來(lái)說(shuō)將電容擴大會(huì )使增益變慢；電容放小會(huì )使增益變快，電阻的特性則剛好與電容相反，電阻擴大增益變快；電阻放小增益變慢，至于何謂增益調整的最佳值，則能夠Dynamic load來(lái)量測，即可獲得一個(gè)最佳值。
D4(整流二極管):
由于輸出電壓為3.3V，而輸出電壓調整器(Output Voltage Regulator)運用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V)，所以有必要多添加一組繞組供給Photo coupler及TL431所需的直流電源，由于U2及U3所需的電流不大(約10mA左右)，二極管耐壓值100V即可，所以只需運用1N4148(0.15A/100V)。
C8(濾波電容):
由于U2及U3所需的電流不大，所以只需運用1u/50V即可。
D5(整流二極管):
輸出整流二極管，D5的運用需考慮:
電流值
二極管的耐壓值
以此電路為例，輸出電流4A，運用10A的二極管(Schottky)應該能夠，但經(jīng)點(diǎn)溫升驗證后發(fā)現D5溫度偏高，所以有必要換為15A的二極管，由于10A的VF較15A的VF 值大。耐壓部分40V經(jīng)驗證后契合，因此最終運用15A/40V Schottky。
C10，R17(二次側snubber) :
D5在截止的瞬間會(huì )有spike發(fā)作，若spike超越二極管(D5)的耐壓值，二極管會(huì )有被擊穿的風(fēng)險，調整snubber可恰當的削減spike的電壓值，除維護二極管外亦可改進(jìn)EMI，R17一般運用1/2W的電阻，C10一般運用耐壓500V的陶質(zhì)電容，snubber調整的過(guò)程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否會(huì )過(guò)熱，應防止此種狀況發(fā)作。
C11，C13(濾波電容):
二次側榜首級濾波電容，應運用內阻較小的電容(LXZ，YXA…)，電容挑選是否洽當可依以下三點(diǎn)來(lái)判定:
輸出Ripple電壓是契合標準
電容溫度是否超越額外值
電容值兩頭電壓是否超越額外值
R19(假負載):
恰當的運用假負載可使線(xiàn)路更安穩，但假負載的阻值不行太小，否則會(huì )影響功率，運用時(shí)亦須注意是否超越電阻的額外值(一般規劃只運用額外瓦數的一半)。
L3，C12(LC濾波電路):
LC濾波電路為第二級濾波，在不影響線(xiàn)路安穩的狀況下，一般會(huì )將L3 擴大(電感量較大)，如此C12可運用較小的電容值。
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